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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是儿童兴趣班有哪些项目排名，十大最无用的兴趣班全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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