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新冠疫苗接种后多久更新健康码,新冠疫苗接种后多久更新健康码信息 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

  据网(wǎng)信(xìn)办消息,日前,网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患,对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查,目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全,是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安(ān)全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

  半(bàn)导体突发!中(zhōng)国(guó)出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存(cún))市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中,江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

  美(měi)光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降,至少已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿(yì)元,占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性,巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势,公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分析,如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制(zhì),或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

  分(fēn)析称(chēng),长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入美国限制名单(dān),设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速(sù),看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关公司份(fèn)额提升,以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等新冠疫苗接种后多久更新健康码,新冠疫苗接种后多久更新健康码信息收入增长。

 

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